pàgina_banner (1)
pàgina_banner (2)
pàgina_banner (3)
pàgina_banner (4)
pàgina_banner (5)
  • Divisors/Combinadors de potència d'11 vies RF de microones mil·límetres de banda ampla resistiva de microstrip d'alta potència
  • Divisors/Combinadors de potència d'11 vies RF de microones mil·límetres de banda ampla resistiva de microstrip d'alta potència
  • Divisors/Combinadors de potència d'11 vies RF de microones mil·límetres de banda ampla resistiva de microstrip d'alta potència
  • Divisors/Combinadors de potència d'11 vies RF de microones mil·límetres de banda ampla resistiva de microstrip d'alta potència

    Característiques:

    • Banda ampla
    • Mida petita
    • Baixa pèrdua d'inserció

    Aplicacions:

    • Amplificadors
    • Mescladors
    • Antenes
    • Prova de laboratori

    L'estructura d'un divisor/combinador de potència de RF d'11 vies

    L'estructura d'un divisor/combinador d'alta potència d'11 vies generalment està composta per un extrem d'entrada, un extrem de sortida, un extrem de reflexió, una cavitat ressonant i components electromagnètics. El principi bàsic de funcionament d'un divisor de potència és dividir un senyal d'entrada en dos o més senyals de sortida, on cada senyal de sortida té la mateixa potència. El reflector reflecteix el senyal d'entrada en una cavitat ressonant, que divideix el senyal d'entrada en dos o més senyals de sortida, cadascun amb la mateixa potència.
    El divisor/combinador de potència d'11 canals pot complir els requisits especificats per separar o combinar senyals de dades entre 11 entrades o sortides.
    Els indicadors clau d'un divisor/combinador de potència de resistència d'11 vies inclouen l'adaptació d'impedància, la pèrdua d'inserció, el grau d'aïllament, etc.

    Característiques:

    1. Adaptació d'impedància: mitjançant la distribució dels components dels paràmetres (línies de microstrip), es resol el problema de la desajust d'impedància durant la transmissió de potència, de manera que els valors d'impedància d'entrada i sortida del divisor/combinador de potència han de ser el més propers possible per reduir la distorsió del senyal.
    2. Baixa pèrdua d'inserció: mitjançant la selecció dels materials del divisor de potència, l'optimització del procés de fabricació i la reducció de la pèrdua inherent del divisor de potència; seleccionant una estructura de xarxa i uns paràmetres de circuit raonables, es pot reduir la pèrdua de divisió de potència del divisor de potència. Així s'aconsegueix una distribució uniforme de la potència i una pèrdua comuna mínima.
    3. Alt aïllament: en augmentar la resistència d'aïllament, s'absorbeixen els senyals reflectits entre els ports de sortida i augmenta la supressió del senyal entre els ports de sortida, cosa que resulta en un alt aïllament.

    Aplicació:

    1. Un divisor/combinador de potència de microones d'11 vies es pot utilitzar per transmetre un senyal a múltiples antenes o receptors, o per dividir un senyal en diversos senyals iguals.
    2. Un divisor/combinador de potència d'ona mil·limètrica d'11 vies es pot utilitzar en transmissors d'estat sòlid, determinant directament l'eficiència, les característiques de freqüència d'amplitud i altres rendiments dels transmissors d'estat sòlid.

    QualwaveInc. proporciona un divisor/combinador de potència de banda ampla d'11 vies en el rang de freqüència de CC a 1 GHz, amb una potència de fins a 2 W.

    img_08
    img_08

    Número de peça

    Freqüència de RF

    (GHz, mín.)

    xiaoyudengyu

    Freqüència de RF

    (GHz, màx.)

    dayudengyu

    El poder com a divisor

    (O)

    dengyu

    Poder com a combinador

    (O)

    dengyu

    Pèrdua d'inserció

    (dB, màx.)

    xiaoyudengyu

    Aïllament

    (dB, mín.)

    dayudengyu

    Balanç d'amplitud

    (±dB, màx.)

    xiaoyudengyu

    Balanç de fases

    (±°, màx.)

    xiaoyudengyu

    ROE

    (Màx.)

    xiaoyudengyu

    Connectors

    Termini de lliurament

    (Setmanes)

    QPD11-0-3000-2 DC 1 2 - 20,0 ± 1,5 20 ±0,5 - 1.3 N 2~3

    PRODUCTES RECOMANAT

    • Divisors/Combinadors de potència de 20 vies RF de microones mil·límetres de banda ampla resistiva de microstrip d'alta potència

      Divisors de potència de 20 vies / Combinadors RF Microones M...

    • Antenes Yagi RF de microones d'ona mil·limètrica d'ona mm

      Antenes Yagi RF de microones d'ona mil·limètrica d'ona mm

    • Divisors/combinadors de potència de 52 vies RF microones mil·límetres d'alta potència microstrip resistiva de banda ampla

      Divisors/combinadors de potència de 52 vies Micròfon de microones RF...

    • Connectors de llançament vertical sense soldadura SMA 2,92 mm 2,4 mm 1,85 mm 1,0 mm

      Connectors de llançament vertical sense soldadura SMA 2.92m...

    • Sistemes d'amplificadors de baix soroll RF Banda ampla EMC Microones Ona mil·limètrica Ona mm Alta freqüència

      Sistemes d'amplificadors de baix soroll RF de banda ampla EMC M...

    • Circuladors de guia d'ones de banda ampla d'octava RF de microones d'ona mil·limètrica

      Circuladors de guia d'ones Microfonia RF d'octava de banda ampla...